LLC Resonant filtering

吸收电容器与半导体部件并联连接是为了降低其高频开关操作产生的高压峰值。谐振电容器必须承受持续性高频交流电压,通常是正弦波,并且需要有一定的承受过压的能力。对于吸收电容和谐振电容,自温升和耐脉冲能力都是关键的参数。
Product Features Product Specifications Product Certification
吸收和谐振
Cs 吸收电容: 保护半导体在开关时免受过电压和电流冲击,开关电路中避免产生电弧。
CR 谐振电容:LC系统中产生特定频率的振荡
Cs 可选用 MPC22、PPS、MRC
CR 可选用MPC84、MPC23
容值范围 630V:6.8~47nF
1250V:4.7~27nF
2000V:1.0~4.7nF
630V:15~100nF
1250V:6.8~56nF
2000V:2.2~27nF
630V:47~470nF
1250V:33~220nF
2000V:10~100nF
外观尺寸 13*(7~12)*(4~8) 18*(9~18)*(5~10) 26.5*(15~23)*(6~14)
脚距 P10 P15 P22.5
电压 630V/1250V/2000V 630V/1250V/2000V 630V/1250V/2000V
精度 J J J
基膜厚度 6~12um 6~12um 6~12um
留边距离 2~3mm 2~3mm 2~3mm
方阻 2~10Ω/ 2~10Ω/ 2~10Ω/
最新标准 GB/T3984.1-2004、GB/T3984.2-2004