MEA

吸收和谐振吸收电容器与半导体部件并联连接是为了降低其高频开关操作产生的高压峰值。谐振电容器必须承受持续性高频交流电压,通常是正弦波,并且需要有一定的承受过压的能力。对于吸收电容和谐振电容,自温升和耐脉冲能力都是关键的参数。吸收脉冲可选用 MPC25、PPS谐振电容可选用MPC24、MPC03
产品特性 产品规格 产品认证
典型运用场合:继电器、可控硅吸收回路

膜材质:MPE膜

引线材质:CP/镀锡铜线

容值范围 0.01uF~75uF 0.01uF~12.0uF 0.022uF~10.0uF 0.01uF~10.0uF
外观尺寸 (16~57)*(6~32)*(4~20) (16~46)*(6~32)*(4~20) (12~46)*(6~32)*(4~20) (16~57)*(6~33)*(4~24)
脚距 W16,W24 W26,W32,W36,W46,W57 W12,W24 W26,W32,W36,W46 W12,W24 W26,W32,W36,W46 W16,W24 W26,W32,W36,W46,W57
电压 100VDC 250VDC 400VDC 630VDC
精度 ±5%,±10% ±5%,±10% ±5%,±10% ±5%,±10%
基膜厚度 5~12 5~12 5~12 5~12
留边距离 ≥1.5mm ≥1.5mm ≥1.5mm ≥1.5mm
方阻 2~10Ω/ 2~10Ω/ 2~10Ω/ 2~10Ω/
最新标准 GB/T 6346.11-2015

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